烁科中科信低能大束流离子注入机获北京科技进步一等奖
原创 赵元闯 芯思想 4月4日

2020年3月26日，北京市科学技术奖励工作办公室公示了2019年度北京市科学技术奖各评审委员会项目评审结果。北京烁科中科信电子装备有限公司牵头联合中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海凯世通半导体股份有限公司、中国科学院微电子所、清华大学、北京大学等单位研发的“大束流离子注入机装备及工艺研发”项目荣获北京市科学技术进步一等奖。

离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，执行的是核心的掺杂工艺，将特定种类离子以指定参数（能量、流强、角度等）注入至特定材料中，目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。每一个器件生产过程中，需要进行很多次离子注入，注入到器件不同的位置、注入的次数对于不同器件类型和工艺节点有差异，例如对于28nm逻辑器件，注入次数约为40次。离子注入与常传统高温掺杂工艺相比，可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了传统工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。

据悉，此次获奖项目是低能大束流离子注入机，标志着我国在集成电路核心装备自主可控方面取得重大突破。

北京烁科中科信电子装备有限公司成立于2019年6月17日，公司源于中国电科第48研究所，是国内唯一一家专注于集成电路领域离子注入机业务的高端装备供应商。1960年代开始研究离子注入机，先后承担了90-65nm中束流和45-22nm大束流等重大项目的攻关任务，目前已拥有中束流离子注入机、大束流离子注入机、高能离子注入机和定制离子注入机四种产品，构建了较为系统的集成电路离子注入机谱系。

据悉，在研发过程中，研发团队攻克了光路、晶圆传输、剂量控制、通用软件系统等离子注入机共性关键技术。中束流离子注入机突破了高精度束流角度控制、小发射度长寿命离子源等关键技术，大束流离子注入机则进一步突破了低能大流强束流传输与控制、支持十余种离子的大流强长寿命离子源等关键技术，高能离子注入机在高能（MeV）离子加速、高电荷态离子源等关键技术上实现了突破。

烁科中科信的中束流离子注入机产品已经批量进入市场；大束流离子注入机已经进入客户端验证；高能离子注入机预计2020年底进入客户端验证；并针对碳化硅（SiC）市场，基于中束流离子注入机技术，推出适用晶4-6英寸的定制注入机。

烁科中科信表示，公司始终致力于为国家解决离子注入机关键技术自主可控难题。经过数十年的攻关，在国家科技部02重大专项等项目的支持下，公司不断突破离子注入机关键核心技术，累计取得发明专利101项，国际专利2项，实现了国产离子注入装备从消化吸收到自主创新再至产业化的跨越式发展，建立了符合SEMI标准的离子注入机批量制造平台，具备年产30台的产业化能力。

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